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    Titel :

    Shallow and deep dry etching of silicon using ICP cryogenic reactive ion etching process


    Beteiligte:
    Sökmen, . (Autor:in) / Stranz, A. (Autor:in) / Fündling, S. (Autor:in) / Merzsch, S. (Autor:in) / Neumann, R. (Autor:in) / Wehmann, H. H. (Autor:in) / Peiner, E. (Autor:in) / Waag, A. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MICROSYSTEM TECHNOLOGIES ; 16 , 5 ; 863-870


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2010


    Format / Umfang :

    8 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    629.83



    Study of silicon backside damage in deep reactive ion etching for bonded silicon-glass structures

    Yoshida, Y. / Kumagai, M. / Tsutsumi, K. | British Library Online Contents | 2003


    Improvement of sidewall roughness in deep silicon etching

    Chabloz, M. / Sakai, Y. / Matsuura, T. et al. | British Library Online Contents | 2000




    Parameter optimization for an ICP deep silicon etching system

    Chen, S. C. / Lin, Y. C. / Wu, J. C. et al. | British Library Online Contents | 2007