Pair of reports present further experimental details of investigation of plasma deposition of films of phosphorous-doped amosphous silicon. Probe measurements of electrical resistance of deposited films indicated films not uniform. In general, it appeared that resistance decreased with film thickness.


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    Titel :

    Plasma Deposition of Doped Amorphous Silicon


    Beteiligte:
    Calcote, H. F. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1985-10-01



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :