We found that lasing wavelength, threshold and efficiency of GaInNAs/GaAsP strain-compensated lasers depends on the P content in GaAsP barrier layer. For a P content of 11%, we obtained improved threshold and efficiency compared with GaAs barrier.


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    Titel :

    Lasing characteristics of GaInNAs/GaAsP strain-compensated lasers for various phosphorous content


    Beteiligte:
    Kawaguchi, M. (Autor:in) / Miyamoto, T. (Autor:in) / Kawakami, S. (Autor:in) / Minobe, S. (Autor:in) / Saitoh, A. (Autor:in) / Koyama, F. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    69377 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch