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    Titel :

    Comparison of GaInNAs/GaAs and strain-compensated InGaAs/GaAsP quantum wells for 1200-1300 nm diode lasers


    Beteiligte:

    Kongress:

    Annual meeting; 12th, IEEE; Lasers and Electro-Optics Society; LEOS '99 ; 1999 ; San Francisco, CA



    Erscheinungsdatum :

    1999-01-01


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no 99CH37009




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




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    Lopata, J. / Vakhshoori, D. / Hobson, W.S. et al. | IEEE | 1996


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