A very low 82.5 A/cm/sup 2/ pulsed threshold current density was achieved for a quaternary AlInGaAs single quantum well laser, using a novel growth parameter optimization process employing a quaternary quantum wells line width broadening model.


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    Titel :

    Very low threshold current density for pseudomorphic quaternary AlInGaAs single quantum well lasers using a growth parameters optimization technique


    Beteiligte:
    Gilor, J. (Autor:in) / Blumin, M. (Autor:in) / Samid, I. (Autor:in) / Fekete, D. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1996


    Format / Umfang :

    145928 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




    Low Threshold MBE-grown AlInGaAs/AlGaAs Strained Multiquantum-well Lasers by Rapid Thermal Annealing

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996



    Pseudomorphic Single-Quantum-Well Lasers Emit At 980 Nm

    Larsson, Anders / Forouhar, Siamak / Cody, Jeffrey G. et al. | NTRS | 1992


    AlInGaAs/AlGaAs strained material and strained quantum well lasers grown by MBE [2886-553]

    Xu, Z.-T. / Yang, G.-W. / Xu, J.-Y. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996