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    Titel :

    Low Threshold MBE-grown AlInGaAs/AlGaAs Strained Multiquantum-well Lasers by Rapid Thermal Annealing



    Kongress:

    International conference; 15th, Semiconductor laser ; 1996 ; Haifa; Israel



    Erscheinungsdatum :

    1996-01-01


    Format / Umfang :

    4 pages


    Anmerkungen:

    Also known as ISLC '96. IEEE cat no 96CH35896 and 96CB35896



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    AlInGaAs/AlGaAs strained material and strained quantum well lasers grown by MBE [2886-553]

    Xu, Z.-T. / Yang, G.-W. / Xu, J.-Y. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996


    MBE-Grown Strained AlInGaAs/AlGaAs Vertical Cavity Lasers with Low Threshold Currents and High Output Power

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996



    Oxide-Apertured Low Threshold 850-nm Vertical Cavity Lasers using AlInGaAs/AlGaAs Strained Active Layers

    Ko, J. / Hegblom, E. R. / Margalit, N. M. et al. | British Library Conference Proceedings | 1997