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    Titel :

    Equivalent Properties of Single Event Burnout in Power MOSFET Induced by Heavy Ion and 252Cf Fission Fragment


    Beteiligte:
    Cao, Zhou (Autor:in) / Yang, Shiyu (Autor:in) / Xue, YuXiong (Autor:in) / Da, Daoan (Autor:in)

    Kongress:

    57th International Astronautical Congress ; 2006 ; Valencia , Spain



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2006




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Effect of Charge Distribution on Burnout Threshold of Hardened Power MOSFET

    Salame, C. / Adams, L. / Kerns, S. et al. | British Library Conference Proceedings | 2000


    Simulation for risk assessment of diode single event burnout

    Theiss, Jesse / Moision, Robert M. / Foran, Brendan et al. | IEEE | 2015



    Single-Event Effect Testing of the Cree CMF10120D SiC Power MOSFET

    Jean- Marie Lauenstein / Magan Casey / Edward Wilcox et al. | NTRS | 2021


    Discussions on Worst-Case Test Condition for Single Event Burnout

    Liu, S. / Zafrani, M. / Sherman, P. et al. | British Library Conference Proceedings | 2011