Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Effect of Charge Distribution on Burnout Threshold of Hardened Power MOSFET


    Beteiligte:
    Salame, C. (Autor:in) / Adams, L. (Autor:in) / Kerns, S. (Autor:in) / Kerns, D. V. (Autor:in) / Pelanchon, F. (Autor:in) / Mialhe, P. (Autor:in) / Hoffmann, A. (Autor:in) / Charles, J.-P. (Autor:in) / European Space Agency

    Kongress:

    European space components conference; ESCCON 2000 ; 2000 ; Noordwijk, Netherlands



    Erscheinungsdatum :

    2000-01-01


    Format / Umfang :

    6 pages


    Anmerkungen:

    Also known as ESCCON 2000



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    60-volt P-channel radiation hardened MOSFET

    Emerald Group Publishing | 2000



    MOSFET Electric-Charge Sensor

    Robinson, Paul A., Jr. | NTRS | 1988



    Development Evaluation and Qualification of a Radiation Hardened Low-Side MOSFET Driver

    Pappalardo, S. / Ribellino, C. / Mirabella, I. et al. | British Library Conference Proceedings | 2014