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    Titel :

    Analysis of luminescence spectra of rectangular and trapezoidal InGaN/GaN multiple quantum wells under varying bias conditions


    Beteiligte:
    Karan, Himanshu (Autor:in) / Saha, Mainak (Autor:in) / Biswas, Abhijit (Autor:in) / Biswas, Dipankar (Autor:in)

    Erschienen in:

    Optical materials ; 86 ; 247-255


    Erscheinungsdatum :

    2018-01-01


    Format / Umfang :

    9 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    DDC:    535



    Microstructure Studies of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

    Lin, Y.-S. / Hsu, C. / Ma, K.-J. et al. | British Library Conference Proceedings | 2001


    Microstructure studies of InGaN/GaN multiple quantum wells

    Yen-Sheng Lin, / Chen Hsu, / Kung-Jeng Ma, et al. | IEEE | 2001


    Electron capture time in InGaN/GaN multiple quantum wells

    Fan, W.H. / Olaizola, S.M. / Wells, J.-P.R. et al. | IEEE | 2004


    Accurate modelling of InGaN quantum wells

    Wenzel, H. | British Library Online Contents | 2006


    Luminescence efficiency of InGaN-based multiple quantum well UV-LEDS

    Chang-Chi Pan, / Chia-Ming Lee, / Wen-Jay Hsu, et al. | IEEE | 2003