Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Accurate modelling of InGaN quantum wells


    Beteiligte:
    Wenzel, H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS ; 38 , 12-14 ; 953-961


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2006


    Format / Umfang :

    9 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



    Growth of InGaN quantum wells and InGaN/GaN quantum well LEDs by MOCVD

    Keller, S. / Mishra, U.K. / DenBaars, S.P. | IEEE | 1996


    Piezoelectric Field Effects in InGaN Quantum Wells

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 2003


    Growth of InGaN Quantum Wells and InGaN/GaN Quantum Well LEDs by MOCVD

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996


    Piezoelectric field effects in InGaN quantum wells

    Brown, I.H. / Pope, I.A. / Smowton, P.M. et al. | IEEE | 2003


    Microstructure Studies of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

    Lin, Y.-S. / Hsu, C. / Ma, K.-J. et al. | British Library Conference Proceedings | 2001