Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Wafer direct bonding with ambient pressure plasma activation


    Beteiligte:
    Gabriel, M. (Autor:in) / Johnson, B. (Autor:in) / Suss, R. (Autor:in) / Reiche, M. (Autor:in) / Eichler, M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MICROSYSTEM TECHNOLOGIES ; 12 , 5 ; 397-400


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2006


    Format / Umfang :

    4 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    629.83



    Surface activation using remote plasma for silicon to quartz wafer bonding

    Belford, R. E. / Sood, S. | British Library Online Contents | 2009


    Direct bonding with on-wafer metal interconnections

    Jia, C. / Wiemer, M. / Gessner, T. | British Library Online Contents | 2006


    Fabrication of Buried Corrugated Waveguides by Wafer-Direct Bonding

    Pelissier, S. / Pandraud, G. / Mure-Ravaud, A. et al. | British Library Online Contents | 2000


    Wafer-level plasma activated bonding: new technology for MEMS fabrication

    Dragoi, V. / Mittendorfer, G. / Thanner, C. et al. | British Library Online Contents | 2008


    Contact angle measurement of GaInAsP surfaces for wafer direct bonding with garnet crystals

    Yokoi, H. / Mizumoto, T. / Futakuchi, N. et al. | IEEE | 1999