Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Structural Characterization and Elastic Strain of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells


    Beteiligte:
    Wu, M. F. (Autor:in) / Zhou, S. (Autor:in) / Yao, S. (Autor:in) / Yang, Z. J. (Autor:in) / Tong, Y. Z. (Autor:in) / Yu, T. J. (Autor:in) / Zhang, G. Y. (Autor:in) / Kwok, H. S. / Chan, K. T.

    Kongress:

    6th, Chinese opto-electronics symposium ; 2003 ; Hong Kong, China



    Erscheinungsdatum :

    2003-01-01


    Format / Umfang :

    6 pages


    Anmerkungen:

    Also known as COES '03. IEEE cat no 03EX701



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Structural characterization and elastic strain of InGaN/GaN multiple quantum wells

    Wu, M.F. / Shengqiang Zhou, / Shude Yao, et al. | IEEE | 2003


    Microstructure Studies of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

    Lin, Y.-S. / Hsu, C. / Ma, K.-J. et al. | British Library Conference Proceedings | 2001


    Microstructure studies of InGaN/GaN multiple quantum wells

    Yen-Sheng Lin, / Chen Hsu, / Kung-Jeng Ma, et al. | IEEE | 2001


    Electron capture time in InGaN/GaN multiple quantum wells

    Fan, W.H. / Olaizola, S.M. / Wells, J.-P.R. et al. | IEEE | 2004


    Accurate modelling of InGaN quantum wells

    Wenzel, H. | British Library Online Contents | 2006