Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Temperature Sensitivity of 1360-nm InGaAsN Quantum Well Lasers


    Beteiligte:

    Kongress:

    Annual meeting; 16th, IEEE Lasers & Electro-optics Society; LEOS 2003 ; 2003 ; Tucson, AZ



    Erscheinungsdatum :

    2003-01-01


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat. no. 03CH37460




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Temperature sensitivity of 1360 nm InGaAsN quantum well lasers

    Jeng-Ya Yeh, / Tansu, N. / Mawst, L.J. | IEEE | 2003


    Carrier confinement in 1300-nm InGaAsN quantum-well lasers

    Tansu, N. / Yeh, J.-Y. / Mawst, L.J. | IEEE | 2003


    The effect of nitrogen in InGaAsN quantum well lasers

    Palmer, D.J. / Smowton, P.M. / Blood, P. et al. | IEEE | 2004


    Carrier transport and injection efficiency of InGaAsN quantum-well lasers

    Jeng-Ya Yeh, / Mawst, L.J. / Tansu, N. | IEEE | 2004


    Room-temperature pulsed operation of InGaAsN quantum dot lasers

    Gao, Q. / Buda, M. / Tan, H.H. et al. | IEEE | 2004