Der abschaltbare Thyristor, der Gate Turn Off (GTO) Thyristor, ist ein Halbleiter-Leistungsbauelement, das in der Traktionstechnik lange Zeit von großer Bedeutung war. Im Zuge der Verbesserung der Antriebstechnik elektrischer Bahnen wurden auch die Halbleiterbauelemente weiter entwickelt, so dass die derzeitigen Antriebe mit den feldgesteuerten Bauelementen, den IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) ausgerüstet sind. Aufgrund des vorhandenen Weiterentwicklungspotenzial dieser Bauelemente, ist es möglich, verlustärmere Schaltungen, kompaktere Bauweise und Energieeffizienz in der Traktionstechnik zu realisieren. Mittlerweile sind die IGBTs ausgereifte Bauelemente, deren hauptsächliche Gehäuseform das Leistungsmodul ist. Wichtige Anforderungen, die von den Bauelementen erfüllt werden müssen, sind Zuverlässigkeit, worunter man in diesem Zusammenhang eine berechenbare Lebensdauer unter bekannten Belastungsbedingungen versteht, Festigkeit gegen Höhenstrahlung und Robustheit als Fähigkeit, Zustände im Grenz- und Überlastbereich zu meistern, ohne zerstört zu werden. Im Beitrag werden das Verhalten der IGBTs in Bezug auf die genannten Anforderungen sowie wichtige Entwicklungstrends bei den Halbleiterbauelementen beschrieben.


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    Title :

    Entwicklungstrends bei Halbleiterbauelementen für die Traktionstechnik


    Additional title:

    Trends in power semiconductor devices for traction application



    Published in:

    eb - Elektrische Bahnen ; 105 , 3 ; 130-137


    Publication date :

    2007-01-01


    Size :

    8 pages



    Type of media :

    Article (Journal)


    Type of material :

    Print


    Language :

    German




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