Modellierung von Prozessschritten zur Umlagerung rekombinationsaktiver Defekte in kristallinem Silizium
1. Aufl.
2011
169 S.
240 mm x 170 mm, 331 g
Ill., graph. Darst., Kt.
Digital preservation by Technische Informationsbibliothek (TIB) / Leibniz-Informationszentrum Technik und Naturwissenschaften und Universitätsbibliothek
Digital preservation by Universität Konstanz
Theses
German
IuD Bahn | 2006
|