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    Titel :

    Modellierung von Prozessschritten zur Umlagerung rekombinationsaktiver Defekte in kristallinem Silizium


    Beteiligte:
    Schön, Jonas (Autor:in)

    Ausgabe :

    1. Aufl.


    Erscheinungsdatum :

    2011


    Format / Umfang :

    169 S.


    Anmerkungen:

    240 mm x 170 mm, 331 g
    Ill., graph. Darst., Kt.
    Langzeitarchivierung durch Technische Informationsbibliothek (TIB) / Leibniz-Informationszentrum Technik und Naturwissenschaften und Universitätsbibliothek
    Langzeitarchivierung durch Universität Konstanz



    Medientyp :

    Hochschulschrift


    Format :

    Print


    Sprache :

    Deutsch


    Schlagwörter :

    Klassifikation :

    DDC:    530
    BKL:    53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher