Single-crystal ribbon of silicon or other material is grown by pulling at low angle from shallow melt. By pulling crystal at small angle, technique prevents overflow problem experienced with horizontal growth. Also creates meniscus that minimizes growth defects in main portion of ribbon. Use of shallow pool prevents convection problems.


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    Titel :

    Technique for Crystal-Ribbon Growth


    Beteiligte:
    Jewett, D. N. (Autor:in) / Bates, H. E. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.03.1983



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :


    Proposed Technique of Crystal-Ribbon Growth

    Thornhill, J. W. | NTRS | 1984



    Sublid Speeds Growth Of Silicon Ribbon

    Seidensticker, R. G. / Mchugh, J. P. | NTRS | 1988


    Numerical Simulation Of Silicon-Ribbon Growth

    Woda, Ben K. / Kuo, Chin-Po / Utku, Senol et al. | NTRS | 1987