Report describes one-year research effort in VLSL fabrication. Four activities are described: theoretical study of two-dimensional diffusion in SOS (silicon-on-sapphire); setup of sputtering system, furnaces, and photolithography equipment; experiments on double layer metal; and investigation of two-dimensional modeling of MOSFET's (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors).


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    Titel :

    Progress in MOSFET double-layer metalization


    Beteiligte:
    Gassaway, J. D. (Autor:in) / Trotter, J. D. (Autor:in) / Wade, T. E. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1980-09-01



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :


    Tests on Double Layer Metalization

    Woo, D. S. | NTRS | 1983


    Double metalization for VLSI

    Trotter, J. D. / Wade, T. E. | NTRS | 1980



    Multilayer metalization of MOS IC's

    Bouldin, D. L. / Feltner, W. R. / Hollis, B. R., Jr. et al. | NTRS | 1980