Modified ion-bombardment technqiue interconnects MOS circuit elements without affecting circuit parameters. Multilevel metalization involves: surface treatment prior to metalization; first metalization; metal pattern definition and photoresist removal; dielectric deposition; second metalization; and final dielectric deposition.


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    Titel :

    Multilayer metalization of MOS IC's


    Beteiligte:
    Bouldin, D. L. (Autor:in) / Feltner, W. R. (Autor:in) / Hollis, B. R., Jr. (Autor:in) / Routh, D. E. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.06.1980



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :


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