Report presents design rules for advanced-technology integrated circuits made by self-aligned silicongate complementary - metal - oxide - semiconductor/silicon-on-sapphir (CMOS/SOS) process.


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    Titel :

    Design rules for CMOS/SOS circuits


    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.04.1980



    Medientyp :

    Sonstige


    Format :

    Keine Angabe


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :


    Latchup in CMOS Integrated Circuits

    Soliman, K. A. / Nichols, D. K. | NTRS | 1985


    Development of CMOS integrated circuits

    Bertino, F. / Feller, A. / Greenhouse, J. et al. | NTRS | 1979


    Finding Open Faults In CMOS Circuits

    Chandramouli, R. | NTRS | 1984



    Exploration of CMOS-Memristive Neuromorphic Circuits

    Rose, G. / American Institute of Aeronautics and Astronautics | British Library Conference Proceedings | 2011