This work reports the long-wavelength lasing of self-assembled InAs quantum dot lasers with AlGaAs cladding layer grown by MOCVD. By growing Al/sub 0.4/Ga/sub 0.6/As upper cladding layer at low temperature, the effect of post-growth annealing of InAs QDs is suppressed and 1.28 /spl mu/m cw lasing at room temperature of stacked InAs/GaAs QD lasers is achieved.


    Zugriff

    Zugriff prüfen

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    1.28 /spl mu/m InAs/GaAs quantum dot lasers with AlGaAs cladding layer grown at low temperature by metalorganic chemical vapor deposition


    Beteiligte:
    Tatebayashi, J. (Autor:in) / Hatori, N. (Autor:in) / Ishida, M. (Autor:in) / Ebe, H. (Autor:in) / Sudou, H. (Autor:in) / Kuramata, A. (Autor:in) / Sugawara, M. (Autor:in) / Arakawa, Y. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2004


    Format / Umfang :

    197138 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch