Summary form only given. We demonstrate 1.3 /spl mu/m electroluminescence from a QD ensemble, MOCVD-grown on an n-GaAs substrate. We discuss optimized QD growth using MOCVD as well as characterization of the ensembles. By optimizing key parameters including growth temperature, V/III ratio, deposition rate and system pressure, we achieve surface densities of 8/spl times/10/sup 10//cm/sup 2/, and electroluminescence at 1.3 /spl mu/m with a full width at half maximum of 40 meV.


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    Titel :

    Electroluminescence and materials characterization of InAs/GaAs quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition


    Beteiligte:
    Huffaker, D.L. (Autor:in) / EL-Emawy, A.R. (Autor:in) / Birudavolu, S. (Autor:in) / Wong, P.S. (Autor:in) / Xu, H. (Autor:in) / Ukhanov, A. (Autor:in) / Malloy, H.J. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2002


    Format / Umfang :

    342314 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch