This study demonstrates lasing action with very low threshold current (6.7 mA) of InAs/GaAs quantum dots at the wavelength of 1.18 /spl mu/m grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD).


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    Titel :

    Room temperature lasing with low threshold current of InAs/GaAs quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition


    Beteiligte:
    Tatebayashi, J. (Autor:in) / Hatori, N. (Autor:in) / Ebe, H. (Autor:in) / Sudou, H. (Autor:in) / Kuramata, A. (Autor:in) / Sugawara, M. (Autor:in) / Arakawa, Y. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2003-01-01


    Format / Umfang :

    143396 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch