A polarization state shifting method is applied for determining the thickness of SiO2 thin film on Si substrate. The ellipsometric parameters are obtained by the image frames under different polarization modification of reflected beam.


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    Titel :

    Polarization Shifting Technique in Interferometric Ellipsometer for Two-Dimensional Characterization of Silicon Wafer


    Beteiligte:
    Chien Chou, (Autor:in) / Hui-Kang Teng, (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    210009 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Interferometric differential phase ellipsometer

    Chou, C. / Teng, H.-K. / Guo li Taiwan da xue et al. | British Library Conference Proceedings | 2003


    Interferometric differential phase ellipsometer

    Chien Chou, / Hui-Kang Teng, | IEEE | 2003


    A heterodyne interferometric ellipsometer

    Watkins, L.R. / Hoogerland, M.D. | IEEE | 2005



    A new polarization modulated ellipsometer

    Collins, A. L. / Palmer, A. W. / Grattan, K. T. V. et al. | British Library Conference Proceedings | 1990