A very low threshold current density of 450A/cm/sup 2/ was obtained in a novel 1.3/spl mu/m InAsP/InP strained layer quantum well laser diode (LD) for the first time. Threshold current as low as 5.5mA was obtained in a buried heterostructure LD.


    Zugriff

    Zugriff prüfen

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Low threshold 1.3/spl mu/m InAsP/InP Strained Layer Quantum Well Laser Diodes Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition


    Beteiligte:
    Kasukawa, A. (Autor:in) / Imajo, Y. (Autor:in) / Namegaya, T. (Autor:in) / Hiratani, Y. (Autor:in) / Kikuta, T. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1992


    Format / Umfang :

    138585 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch