We demonstrate continuous wave operation of MOCVD-grown 1.55 /spl mu/m buried tunnel junction VCSELs at room temperature. This buried tunnel junction VCSEL structure is prepared by MOCVD twofold epitaxial growth. The threshold current and emission wavelength for a 10 /spl mu/m-diameter device are 3.5 mA and 1552 nm, respectively.


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    Titel :

    Continuous wave operation of MOCVD grown 1.55 /spl mu/m buried tunnel junction VCSELs


    Beteiligte:
    Song, H.-W. (Autor:in) / Kwon, O.-K. (Autor:in) / Han, W.-S. (Autor:in) / Ju, Y.-G. (Autor:in) / Kim, J.-H. (Autor:in) / Shin, J.-H. (Autor:in) / Yoo, B.-S. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2002-01-01


    Format / Umfang :

    111673 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch







    1.3 micron InGaAsN oxide-confined VCSELs grown by MOCVD

    Murray, C.S. / Newman, F.D. / Shangzhu Sun, et al. | IEEE | 2002