High temperature CW operation of electrically pumped 1.3-1.55 /spl mu/m MQW VCSELs using top and bottom InP/air-gap DBRs with record low threshold current density is demonstrated.


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    Titel :

    High temperature continuous-wave operation of 1.3-1.55 /spl mu/m VCSELs with InP/air-gap DBRs


    Beteiligte:
    Chao-Kun Lin, (Autor:in) / Bour, D. (Autor:in) / Jintian Zhu, (Autor:in) / Perez, W. (Autor:in) / Leary, M. (Autor:in) / Tandon, A. (Autor:in) / Corzine, S. (Autor:in) / Tan, M. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2002-01-01


    Format / Umfang :

    138687 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    High Temperature Continous-Wave Operation of 1.3-1.55mum VCSELs with InP/Air-Gap DBRs

    Institute of Electrical and Electronics Engineers | British Library Conference Proceedings | 2002



    Continuous wave operation of MOCVD grown 1.55 /spl mu/m buried tunnel junction VCSELs

    Song, H.-W. / Kwon, O.-K. / Han, W.-S. et al. | IEEE | 2002