We report the use of electric-field-induced second-harmonic generation to investigate the electrical signal in CMOS chips with 2.3/spl mu/m femtosecond pulses. A linear relationship between the signal and applied voltage is found for voltages<1V.


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    Titel :

    Probing electrical signals in silicon CMOS devices using electric field induced second harmonic generation


    Beteiligte:
    Dong Xiao, (Autor:in) / Ramsay, E. (Autor:in) / Reid, D.T. (Autor:in) / Offenbeck, B. (Autor:in) / Sundermeyer, J. (Autor:in) / Seemann, K. (Autor:in) / Weber, N. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    231533 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch