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    Titel :

    High-temperature properties of InGaN/AlInGaN-based quantum-well UV LEDs in 300-600 K range


    Beteiligte:
    Jinhyun Lee, (Autor:in) / Eliseev, P.G. (Autor:in) / Osinski, M. (Autor:in) / Dong S. Lee, (Autor:in) / Florescu, D.I. (Autor:in) / Shiping Goo, (Autor:in) / Pophristic, M. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    167833 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Growth of InGaN Quantum Wells and InGaN/GaN Quantum Well LEDs by MOCVD

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996


    Growth of InGaN quantum wells and InGaN/GaN quantum well LEDs by MOCVD

    Keller, S. / Mishra, U.K. / DenBaars, S.P. | IEEE | 1996


    Luminescence efficiency of InGaN-based multiple quantum well UV-LEDS

    Chang-Chi Pan, / Chia-Ming Lee, / Wen-Jay Hsu, et al. | IEEE | 2003


    Luminescence efficiency of InGaN-based multiple quantum well UV-LEDS

    Pan, C.-C. / Lee, C.-M. / Hsu, W.-J. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003