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    Titel :

    A High Electron Mobility Transistor of GaN Metal Oxide Semiconductor with 0.5 μm Gate Length Employing HfO~2 as Gate Dielectric


    Beteiligte:
    Han, Kefeng (Autor:in) / Wang, Chuangguo (Autor:in) / Zhu, Lin (Autor:in) / Kong, Yuechan (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.2017


    Format / Umfang :

    5 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    DDC:    500