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    Titel :

    Investigation of Emission Polarization and Strain in InGaN-GaN Multiple Quantum Wells on Nanorod Epitaxially Lateral Overgrowth Templates


    Beteiligte:
    Huang, H.-M. (Autor:in) / Lu, T.-C. (Autor:in) / Chang, C.-Y. (Autor:in) / Ling, S.-C. (Autor:in) / Chan, W.-W. (Autor:in) / Kuo, H.-C. (Autor:in) / Wang, S.-C. (Autor:in)

    Erschienen in:

    JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY ; 29 , 18 ; 2761-2765


    Erscheinungsdatum :

    2011-01-01


    Format / Umfang :

    5 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    621.3692



    High Quality and Thick GaN Substrate Epitaxially Grown by VPE Lateral Overgrowth

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1998


    Structural characterization and elastic strain of InGaN/GaN multiple quantum wells

    Wu, M.F. / Shengqiang Zhou, / Shude Yao, et al. | IEEE | 2003


    Structural Characterization and Elastic Strain of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

    Wu, M. F. / Zhou, S. / Yao, S. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003


    Microstructure Studies of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells

    Lin, Y.-S. / Hsu, C. / Ma, K.-J. et al. | British Library Conference Proceedings | 2001


    Microstructure studies of InGaN/GaN multiple quantum wells

    Yen-Sheng Lin, / Chen Hsu, / Kung-Jeng Ma, et al. | IEEE | 2001