Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    High Quality and Thick GaN Substrate Epitaxially Grown by VPE Lateral Overgrowth



    Kongress:

    Annual meeting; 11th, IEEE: Lasers and Electro-Optics Society; LEOS '98 ; 1998 ; Orlando; FL



    Erscheinungsdatum :

    1998-01-01


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no: 98CH36243




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    Raman study of Epitaxial lateral Overgrowth of GaN on Patterned Sapphire Substrate

    Kang, D.H. / Song, J.C. / Song, H. et al. | British Library Conference Proceedings | 2008



    Epitaxially Grown 1.06 mum and Eye Safe Microchip Lasers

    Kopczynski, K. / Samecki, J. / Mlynczak, J. et al. | British Library Conference Proceedings | 2005


    Lateral Epitaxial Overgrowth of and Defect Reduction in GaN Thin Films

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1998