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    Titel :

    Hole capture rate of GaInAs/InP strained quantum-well lasers


    Beteiligte:
    Hirayama, H. (Autor:in) / Asada, M. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1994-01-01


    Format / Umfang :

    S719



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



    1200 nm highly strained GaInAs/GaAs surface emitting lasers

    Koyama, F. / Miyamoto, T. / Arai, M. et al. | IEEE | 2002


    WFF5 1.23mum Long Wavelength Highly Strained GaInAs/GaAs Quantum Well Laser

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 2002


    TuS2 1200 nm Highly Strained GaInAs/GaAs Surface Emitting Lasers

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 2002


    1.23 /spl mu/m long wavelength highly strained GaInAs/GaAs quantum well laser

    Kondo, T. / Arai, M. / Onomura, A. et al. | IEEE | 2002


    Physics of Strained Quantum Well Lasers

    Loehr | Online Contents | 1998