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    Titel :

    InGaN-Based Quantum-Well LEDs: Explanation of Anomalous Electro-Optical Characteristics


    Beteiligte:
    Osinski, M. (Autor:in)

    Kongress:

    CONFERENCE, Lasers & electro-optics ; 2005 ; Baltimore, MD



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    3 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat. no. 05CH37634



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    Growth of InGaN quantum wells and InGaN/GaN quantum well LEDs by MOCVD

    Keller, S. / Mishra, U.K. / DenBaars, S.P. | IEEE | 1996


    Growth of InGaN Quantum Wells and InGaN/GaN Quantum Well LEDs by MOCVD

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996


    Luminescence efficiency of InGaN-based multiple quantum well UV-LEDS

    Pan, C.-C. / Lee, C.-M. / Hsu, W.-J. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003


    Luminescence efficiency of InGaN-based multiple quantum well UV-LEDS

    Chang-Chi Pan, / Chia-Ming Lee, / Wen-Jay Hsu, et al. | IEEE | 2003