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    Titel :

    Longitudinally resolved measurements of carrier concentration and gain in 980-nm InGaAs/GaAs high-power quantum well lasers [3004-21]


    Beteiligte:

    Kongress:

    Conference, Fabrication, testing, and reliability of semiconductor lasers II ; 1997 ; San Jose; CA



    Erscheinungsdatum :

    1997-01-01


    Format / Umfang :

    10 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    InGaAs/GaAs strained quantum-well lasers

    Dutta, Niloy K. | SPIE | 1993


    Carrier escape time in GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs quantum well lasers [2684-07]

    Esquivias, I. / Romero, B. / Weisser, S. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996



    Gain and Carrier Distribution in InGaAs Quantum Dot Lasers

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 2003


    InGaAs/GaAs Quantum Dot Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1998