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    Titel :

    Carrier escape time in GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs quantum well lasers [2684-07]


    Beteiligte:

    Kongress:

    Conference, High-speed semiconductor laser sources ; 1996 ; San Jose; CA



    Erscheinungsdatum :

    1996-01-01


    Format / Umfang :

    10 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Ultrahigh-speed InGaAs/GaAs lasers with C-doped active regions [2684-26]

    Czotscher, K. / Larkins, E. C. / Weisser, S. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996


    InGaAs/GaAs strained quantum-well lasers

    Dutta, Niloy K. | SPIE | 1993


    Low Threshold InGaAs-AlGaAs-GaAs Strained-Layer Quantum Well Heterostructure Square Ring Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993



    50-W peak power AlGaAs/InGaAs/GaAs single quantum-well 990-nm diode lasers

    Martinelli, R.U. / Li, J. / Khalfin, V. et al. | IEEE | 2004