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    Titel :

    Ultrahigh-speed InGaAs/GaAs lasers with C-doped active regions [2684-26]


    Beteiligte:

    Kongress:

    Conference, High-speed semiconductor laser sources ; 1996 ; San Jose; CA



    Erscheinungsdatum :

    1996-01-01


    Format / Umfang :

    9 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Carrier escape time in GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs quantum well lasers [2684-07]

    Esquivias, I. / Romero, B. / Weisser, S. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996


    Nr. 2684

    DataCite | 1897


    Ultrawide bandwidth 1.55-m lasers (Invited Paper) [2684-24]

    Morton, P. A. / Tanbun-Ek, T. / Logan, R. A. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996


    37 GHz Direct Modulation Bandwidth in Short-Cavity InGaAs/GaAs MQW Lasers with C-doped Active Regions

    IEEE / Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1995


    30-Gbit/s transmission experiment using directly modulated semiconductor lasers (Invited Paper) [2684-14]

    Bowers, J. E. / Blixt, P. / Petersen, A. K. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996