50 W peak-power was demonstrated from 2-mm-long, 100-/spl mu/m-aperture AlGaAs/InGaAs/GaAs single-quantum-well lasers driven with 40-ns, 80-A current pulses. Grown by organo-metallic vapor-phase epitaxy, the lasers have internal losses of 1.5 cm/sup -1/ and internal efficiencies of 0.90.


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    Titel :

    50-W peak power AlGaAs/InGaAs/GaAs single quantum-well 990-nm diode lasers


    Beteiligte:
    Martinelli, R.U. (Autor:in) / Li, J. (Autor:in) / Khalfin, V. (Autor:in) / Braun, A.M. (Autor:in) / Willner, B.L. (Autor:in) / Harvey, M. (Autor:in) / Shellenbarger, Z. (Autor:in) / Abeles, J.H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2004


    Format / Umfang :

    132600 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    AlInGaAs/AlGaAs Strained Single-quantum-well Diode Lasers

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    Carrier escape time in GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs quantum well lasers [2684-07]

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    Low Threshold InGaAs-AlGaAs-GaAs Strained-Layer Quantum Well Heterostructure Square Ring Lasers

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