Vorgestellt werden die in Chip-on-Chip-Technik hergerstellen Power-MOSFET mit integriertem Steuer-IC der Produktfamilie BTS 555. Sie sind für den Einsatz in der Kraftfahrzeugelektronik, speziell für Schaltstöme bis 400 A, einem Einschaltwiderstand zwischen 3 und 8 Milliohm und maximal 50 V Spannung vorgesehen. Der integrierte IC nimmt Schutzfunktionen (Kurschlußabschaltung, Übertemperatur) und Diagnosefunktionen wahr. Durch den lastorientierten Stromsteuermodus (Stand-by-Betrieb 10 Mikroampere) und dessen Strombegrenzungseigenschaft kann auf den Anlassereinschaltstrom und einen möglichen Kurzschlußstrom unterschiedlich reagiert werden. Die Leistungs-ICs sind für das geplante Konzept von 42-V-Bordnetzen in der Automobilindustrie verwendbar.


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    Title :

    PROFET schaltet hohe Ströme im Kfz


    Contributors:
    Xu, C. (author) / Sander, R. (author) / Sommer, P. (author)

    Published in:

    Siemens Components ; 35 , 2 ; 20-22


    Publication date :

    1997


    Size :

    3 Seiten, 6 Bilder, 1 Tabelle



    Type of media :

    Article (Journal)


    Type of material :

    Print


    Language :

    German





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