Vorgestellt werden die in Chip-on-Chip-Technik hergerstellen Power-MOSFET mit integriertem Steuer-IC der Produktfamilie BTS 555. Sie sind für den Einsatz in der Kraftfahrzeugelektronik, speziell für Schaltstöme bis 400 A, einem Einschaltwiderstand zwischen 3 und 8 Milliohm und maximal 50 V Spannung vorgesehen. Der integrierte IC nimmt Schutzfunktionen (Kurschlußabschaltung, Übertemperatur) und Diagnosefunktionen wahr. Durch den lastorientierten Stromsteuermodus (Stand-by-Betrieb 10 Mikroampere) und dessen Strombegrenzungseigenschaft kann auf den Anlassereinschaltstrom und einen möglichen Kurzschlußstrom unterschiedlich reagiert werden. Die Leistungs-ICs sind für das geplante Konzept von 42-V-Bordnetzen in der Automobilindustrie verwendbar.


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    Titel :

    PROFET schaltet hohe Ströme im Kfz


    Beteiligte:
    Xu, C. (Autor:in) / Sander, R. (Autor:in) / Sommer, P. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Siemens Components ; 35 , 2 ; 20-22


    Erscheinungsdatum :

    1997


    Format / Umfang :

    3 Seiten, 6 Bilder, 1 Tabelle



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Deutsch





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