Es wurden Berechnungen auf der Basis der Lösung der Kontinuitätsgleichung für p-AlGaAs/p-GaAs/n-GaAs-Solarzellen durchgeführt, um einen Zusammenhang zwischen der p-GaAs-Schichtdicke und der Strahlungsfestigkeit der Solarzelle mit der Kurzschlußstromdichte als Maß zu bestimmen. Dabei wurde festgestellt, daß die Kurzschlußstromdichte eine relativ schwache Funktion der p-GaAs-Schichtdicke bei noch nicht strahlengeschädigten Zellen ist. Allerdings wurde auch festgestellt, daß die Degradation aufgrund von Strahlungseinfluß bei größerer Schichtdicke signifikant größer ist.
A study of the relationship between junction depth and GaAs solar cell performance under a 1 MeV electron fluence
Eine Untersuchung der Beziehung zwischen Sperrschichttiefe und Eigenschaften von GaAs-Solarzellen bei einem 1 MeV-Elektronenstrom
Solar Energy Materials and Solar Cells ; 35 , 1-4 ; 113-119
1994
7 Seiten, 4 Bilder, 1 Tabelle, 8 Quellen
Article (Journal)
English
1MeV electron irradiation influence on GaAs solar cell performance
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