Es wurden Berechnungen auf der Basis der Lösung der Kontinuitätsgleichung für p-AlGaAs/p-GaAs/n-GaAs-Solarzellen durchgeführt, um einen Zusammenhang zwischen der p-GaAs-Schichtdicke und der Strahlungsfestigkeit der Solarzelle mit der Kurzschlußstromdichte als Maß zu bestimmen. Dabei wurde festgestellt, daß die Kurzschlußstromdichte eine relativ schwache Funktion der p-GaAs-Schichtdicke bei noch nicht strahlengeschädigten Zellen ist. Allerdings wurde auch festgestellt, daß die Degradation aufgrund von Strahlungseinfluß bei größerer Schichtdicke signifikant größer ist.


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    Titel :

    A study of the relationship between junction depth and GaAs solar cell performance under a 1 MeV electron fluence


    Weitere Titelangaben:

    Eine Untersuchung der Beziehung zwischen Sperrschichttiefe und Eigenschaften von GaAs-Solarzellen bei einem 1 MeV-Elektronenstrom


    Beteiligte:
    Hacke, P. (Autor:in) / Uesugi, M. (Autor:in) / Matsuda, S. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1994


    Format / Umfang :

    7 Seiten, 4 Bilder, 1 Tabelle, 8 Quellen




    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch