In der Leistungselektronik zeichnet sich ein Trend in Richtung Siliziumkarbid (SiC) ab. Für SiC-MOSFETs sprechen im Vergleich zu Bausteinen auf Basis von Silizium die niedrigen Leistungs- und Schaltverluste sowie die kompaktere Form. So sind etwa bei 1200V die Leitungs- und Schaltverluste von SiC-MOSFETs um 50-80% kleiner, wobei aber die Sperrspannung ungefähr 50% höher liegt - und dies bei vergleichbarem Wirkungsgrad und einer Robustheit, die etwa um einen Faktor 10 größer ist. Zudem machen die sinkenden Preise SiC-Leistungshalbleiter für Entwickler interessant, weswegen Leistungshalbleiter aus SiC für Traktionswechselrichter in Elektro- und Elektrohybridfahrzeugen von Interesse sind.
MOSFETs: SiC läst Silizium ab. In welchen Bereichen Siliziumkarbid-MOSFETs Vorteile bieten
Elektronik Industrie ; 46 , 5 ; 36-39
2015
4 Seiten, Bilder
Article (Journal)
German
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