In der Leistungselektronik zeichnet sich ein Trend in Richtung Siliziumkarbid (SiC) ab. Für SiC-MOSFETs sprechen im Vergleich zu Bausteinen auf Basis von Silizium die niedrigen Leistungs- und Schaltverluste sowie die kompaktere Form. So sind etwa bei 1200V die Leitungs- und Schaltverluste von SiC-MOSFETs um 50-80% kleiner, wobei aber die Sperrspannung ungefähr 50% höher liegt - und dies bei vergleichbarem Wirkungsgrad und einer Robustheit, die etwa um einen Faktor 10 größer ist. Zudem machen die sinkenden Preise SiC-Leistungshalbleiter für Entwickler interessant, weswegen Leistungshalbleiter aus SiC für Traktionswechselrichter in Elektro- und Elektrohybridfahrzeugen von Interesse sind.


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    Titel :

    MOSFETs: SiC läst Silizium ab. In welchen Bereichen Siliziumkarbid-MOSFETs Vorteile bieten


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    Elektronik Industrie ; 46 , 5 ; 36-39


    Erscheinungsdatum :

    2015


    Format / Umfang :

    4 Seiten, Bilder



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Deutsch




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