Dieser kuerzlich entwickelte Verstaerker ist hinsichtlich von Veraenderungen von Diodenparametern unempfindlich. Beschrieben wird die Konstruktion und die Leistung dieses Verstaerkers. Er beruht auf der Charakteristik der Transformierung der Bandpassimpedanz eines gekoppelten Leiterpaars. Die Anwendung einer solchen Struktur erlaubt eine Kreisspannung sowohl in der Grundfrequenz, wie auch in ihren Harmonischen ohne zusaetzliche Abstimmelemente. Gute Ergebnisse hat ein Zusammenschalten von 2 einstufigen Verstaerkern dieser Art gebracht, die durch einen hybriden Verbinder von 3 db gekoppelt sind. Gegenueber einem einzelnen Verstaerker war die Verstaerkung etwas geringer, die Ausgangsleistung beinahe doppelt so hoch.


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    Title :

    Fixed-tuned high power F-band TRAPATT amplifier


    Additional title:

    Festabgestimmter TRAPATT-Hochleitsungsverstaerker im F-Band


    Contributors:
    Fong, T.T. (author) / McCandless, J.B. (author) / Nakaji, E.M. (author) / Ying, R.S. (author)


    Publication date :

    1977


    Size :

    3 Seiten, 6 Bilder, 1 Tabelle, 2 Quellen



    Type of media :

    Conference paper


    Type of material :

    Print


    Language :

    English




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