Dieser kuerzlich entwickelte Verstaerker ist hinsichtlich von Veraenderungen von Diodenparametern unempfindlich. Beschrieben wird die Konstruktion und die Leistung dieses Verstaerkers. Er beruht auf der Charakteristik der Transformierung der Bandpassimpedanz eines gekoppelten Leiterpaars. Die Anwendung einer solchen Struktur erlaubt eine Kreisspannung sowohl in der Grundfrequenz, wie auch in ihren Harmonischen ohne zusaetzliche Abstimmelemente. Gute Ergebnisse hat ein Zusammenschalten von 2 einstufigen Verstaerkern dieser Art gebracht, die durch einen hybriden Verbinder von 3 db gekoppelt sind. Gegenueber einem einzelnen Verstaerker war die Verstaerkung etwas geringer, die Ausgangsleistung beinahe doppelt so hoch.


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    Titel :

    Fixed-tuned high power F-band TRAPATT amplifier


    Weitere Titelangaben:

    Festabgestimmter TRAPATT-Hochleitsungsverstaerker im F-Band


    Beteiligte:
    Fong, T.T. (Autor:in) / McCandless, J.B. (Autor:in) / Nakaji, E.M. (Autor:in) / Ying, R.S. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1977


    Format / Umfang :

    3 Seiten, 6 Bilder, 1 Tabelle, 2 Quellen



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




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