Dieser kuerzlich entwickelte Verstaerker ist hinsichtlich von Veraenderungen von Diodenparametern unempfindlich. Beschrieben wird die Konstruktion und die Leistung dieses Verstaerkers. Er beruht auf der Charakteristik der Transformierung der Bandpassimpedanz eines gekoppelten Leiterpaars. Die Anwendung einer solchen Struktur erlaubt eine Kreisspannung sowohl in der Grundfrequenz, wie auch in ihren Harmonischen ohne zusaetzliche Abstimmelemente. Gute Ergebnisse hat ein Zusammenschalten von 2 einstufigen Verstaerkern dieser Art gebracht, die durch einen hybriden Verbinder von 3 db gekoppelt sind. Gegenueber einem einzelnen Verstaerker war die Verstaerkung etwas geringer, die Ausgangsleistung beinahe doppelt so hoch.
Fixed-tuned high power F-band TRAPATT amplifier
Festabgestimmter TRAPATT-Hochleitsungsverstaerker im F-Band
IEEE INT. SOLID-STATE CIRCUITS CONF., DIGEST OF TECHNICAL PAPERS ; 20 , Feb. ; 124-244
1977
3 Seiten, 6 Bilder, 1 Tabelle, 2 Quellen
Aufsatz (Konferenz)
Englisch
High Power Tunable Millimeter Wave Sources Using Fixed-Tuned Planar Varactor Sideband Generators
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