Ga-dotierte Ge-Detektoren fuer Wellenlaengen bis 13 Mikrometer wurden bei niedrigem optischen Hintergrund in Raumumgebung getestet. Die Strom-Spannungs-Charakteristik als Funktion des IR-Untergrunds, das Signal-Ansprechen auf die Strahlung eines kalten schwarzen Koerpers und das Rauschen wurden untersucht. Daraus wurde die Rauschaequivalentleistung, die Ansprechschwelle, die Ladungstraegerbeweglichkeit und Bauelement-Temperatur bestimmt. Die Detektor-Charakteristiken des besten Elementes werden angegeben. Moegliche noch empfindlichere und kleinere Submillimeter-Detektoren mit Betriebstemperaturen unter 4,7 K werden in naher Zukunft erwartet.
Low background operation of gallium-doped germanium photoconductors
Betrieb von Ga-dotierten Germanium-Photoleitern bei niedrigem Untergrund
1976
2 Seiten, 1 Tabelle
Conference paper
English
Ionising Radiation-Induced Effects in Doped Germanium FIR Photoconductors
British Library Online Contents | 1992
|Performance Testing of Doped-Germanium Photoconductors for the ISO Long Wavelength Spectrometer
British Library Online Contents | 1992
|Silicon Doped with Gallium Photoconductors: Effect of Uniaxial Stress and Detector Development
British Library Online Contents | 1994
|Non-Linear Effects in Doped-Germanium Photoconductors for the ISO Long Wavelength Spectrometer
British Library Online Contents | 1992
|Epitaxial Deposition Of Germanium Doped With Gallium
NTRS | 1994
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