Ga-dotierte Ge-Detektoren fuer Wellenlaengen bis 13 Mikrometer wurden bei niedrigem optischen Hintergrund in Raumumgebung getestet. Die Strom-Spannungs-Charakteristik als Funktion des IR-Untergrunds, das Signal-Ansprechen auf die Strahlung eines kalten schwarzen Koerpers und das Rauschen wurden untersucht. Daraus wurde die Rauschaequivalentleistung, die Ansprechschwelle, die Ladungstraegerbeweglichkeit und Bauelement-Temperatur bestimmt. Die Detektor-Charakteristiken des besten Elementes werden angegeben. Moegliche noch empfindlichere und kleinere Submillimeter-Detektoren mit Betriebstemperaturen unter 4,7 K werden in naher Zukunft erwartet.


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    Titel :

    Low background operation of gallium-doped germanium photoconductors


    Weitere Titelangaben:

    Betrieb von Ga-dotierten Germanium-Photoleitern bei niedrigem Untergrund


    Beteiligte:
    Moore, W.J. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1976


    Format / Umfang :

    2 Seiten, 1 Tabelle


    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




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