Ein neuentwickelter epitaxialer Hallgenerator wird vorgestellt. Er kann in einem weiten Temperaturbereich vom -70 bis +280Cel verwendet werden und weist einen Temperaturkoeffizient auf, der nur ein Zehntel desjenigen von Silizium-Hallgeneratoren betraegt. Daher eignet er sich in besondere Masse fuer Kraftfahrzeugelektronik. Bei manchen Exemplaren wurde eine Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften bei hoeheren Temperaturen festgestellt, welche auf tiefliegenden Zentren an der Grenzflaeche zwischen Substrat und epitaktischer Schicht beruht. Die hohen Kosten der epitaktischen Bauweise konnten durch die Verwendung von Massenproduktionsmitteln weitgehend aufgefangen werden. Die Zuverlaessigkeit des Hall-Generators wurde untersucht. Bei Betriebstemperaturen unter 230 Cel konnte keine Veraenderung festgestellt werden.
Epitaxial GaAs Hall generators for high temperature applications
Epitaxiale GaAs-Hallgeneratoren zur Anwendung bei hohen Temperaturen
PROC. OF THE 7 TH ON SOLID DEVICES ; 15 , Jan. ; 261-266
1976
6 Seiten, 8 Bilder, 2 Tabellen, 5 Quellen
Conference paper
English
Hall potentials in nonequilibrium mhd generators
AIAA | 1965
|Electrooptic sampling of low temperature GaAs pulse generators for oscilloscope calibration
British Library Online Contents | 1996
|Liquid Phase Epitaxial GaAs Solar Cells
SAE Technical Papers | 1984
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