Ein neuentwickelter epitaxialer Hallgenerator wird vorgestellt. Er kann in einem weiten Temperaturbereich vom -70 bis +280Cel verwendet werden und weist einen Temperaturkoeffizient auf, der nur ein Zehntel desjenigen von Silizium-Hallgeneratoren betraegt. Daher eignet er sich in besondere Masse fuer Kraftfahrzeugelektronik. Bei manchen Exemplaren wurde eine Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften bei hoeheren Temperaturen festgestellt, welche auf tiefliegenden Zentren an der Grenzflaeche zwischen Substrat und epitaktischer Schicht beruht. Die hohen Kosten der epitaktischen Bauweise konnten durch die Verwendung von Massenproduktionsmitteln weitgehend aufgefangen werden. Die Zuverlaessigkeit des Hall-Generators wurde untersucht. Bei Betriebstemperaturen unter 230 Cel konnte keine Veraenderung festgestellt werden.


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    Title :

    Epitaxial GaAs Hall generators for high temperature applications


    Additional title:

    Epitaxiale GaAs-Hallgeneratoren zur Anwendung bei hohen Temperaturen


    Contributors:
    Hojo, A. (author) / Tanaka, S. (author) / Kuru, I. (author)

    Published in:

    Publication date :

    1976


    Size :

    6 Seiten, 8 Bilder, 2 Tabellen, 5 Quellen


    Type of media :

    Conference paper


    Type of material :

    Print


    Language :

    English





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