Ein neuentwickelter epitaxialer Hallgenerator wird vorgestellt. Er kann in einem weiten Temperaturbereich vom -70 bis +280Cel verwendet werden und weist einen Temperaturkoeffizient auf, der nur ein Zehntel desjenigen von Silizium-Hallgeneratoren betraegt. Daher eignet er sich in besondere Masse fuer Kraftfahrzeugelektronik. Bei manchen Exemplaren wurde eine Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften bei hoeheren Temperaturen festgestellt, welche auf tiefliegenden Zentren an der Grenzflaeche zwischen Substrat und epitaktischer Schicht beruht. Die hohen Kosten der epitaktischen Bauweise konnten durch die Verwendung von Massenproduktionsmitteln weitgehend aufgefangen werden. Die Zuverlaessigkeit des Hall-Generators wurde untersucht. Bei Betriebstemperaturen unter 230 Cel konnte keine Veraenderung festgestellt werden.


    Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Epitaxial GaAs Hall generators for high temperature applications


    Weitere Titelangaben:

    Epitaxiale GaAs-Hallgeneratoren zur Anwendung bei hohen Temperaturen


    Beteiligte:
    Hojo, A. (Autor:in) / Tanaka, S. (Autor:in) / Kuru, I. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    1976


    Format / Umfang :

    6 Seiten, 8 Bilder, 2 Tabellen, 5 Quellen


    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    High Efficiency GaAs-Based Cells for Thermophotovoltaic Generators

    Woolf, L. D. / Smith, J. N. / Duggan, D. M. | AIAA | 1987


    Electrooptic sampling of low temperature GaAs pulse generators for oscilloscope calibration

    Smith, A. J. A. / Roddie, A. G. / Henderson, D. | British Library Online Contents | 1996



    Liquid Phase Epitaxial GaAs Solar Cells

    Kamath, G. S. / Dill, H. | SAE Technical Papers | 1984